普通插图显示了9-AGNR基的FET的草图以及9-AGNR的分子结构。
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电力(b)Na元素在Pb99Na0.01Te0.65S0.25Se0.1化合物中穿过基体和析出物的成分分布。交易(i)纯PbSe二元材料的声子谱以及对应的声子态密度。
【图文导读】Figure1.多尺度晶体缺陷的化学修饰状态及其对不同频率声子散射的示意图(a)点缺陷,成长包含空位,置换原子以及间隙原子。Figure2.三维原子探针APT示意图待测试样为针尖状样品,历程其尖端半径在20-100nm左右,历程其分析深度对于硫属化合物热电材料通常能够大于500nm(具体依赖于样品的蒸发电场以及制备情况)。